物理学报
物理學報
물이학보
2006年
11期
6080-6084
,共5页
王久敏%陈坤基%宋捷%余林蔚%吴良才%李伟%黄信凡
王久敏%陳坤基%宋捷%餘林蔚%吳良纔%李偉%黃信凡
왕구민%진곤기%송첩%여림위%오량재%리위%황신범
纳米硅%氮化硅%电容电压法%电流电压法
納米硅%氮化硅%電容電壓法%電流電壓法
납미규%담화규%전용전압법%전류전압법
研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双层nc-Si的金属-氮化物-半导体(MIS)结构.通过电容电压(C-V)特性测量,观测到该结构中由于电荷存储引起的C-V回滞现象,并在室温下成功观察到载流子基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿注入到第一层、第二层nc-Si的两级电荷存储状态.结合电流电压(I-V)特性的测量,对电荷存储的机理进行了深入分析.
研究鑲嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)層之間的雙層納米硅(nc-Si)的電荷存儲現象.利用等離子體增彊化學氣相澱積(PECVD)技術在硅襯底上製備a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多層薄膜結構.採用常規熱退火方法使非晶硅(a-Si)層晶化,形成包含雙層nc-Si的金屬-氮化物-半導體(MIS)結構.通過電容電壓(C-V)特性測量,觀測到該結構中由于電荷存儲引起的C-V迴滯現象,併在室溫下成功觀察到載流子基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿註入到第一層、第二層nc-Si的兩級電荷存儲狀態.結閤電流電壓(I-V)特性的測量,對電荷存儲的機理進行瞭深入分析.
연구양감재초박비정담화규(a-SiNx)층지간적쌍층납미규(nc-Si)적전하존저현상.이용등리자체증강화학기상정적(PECVD)기술재규츤저상제비a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx다층박막결구.채용상규열퇴화방법사비정규(a-Si)층정화,형성포함쌍층nc-Si적금속-담화물-반도체(MIS)결구.통과전용전압(C-V)특성측량,관측도해결구중유우전하존저인기적C-V회체현상,병재실온하성공관찰도재류자기우Fowler-Nordheim(F-N)수천주입도제일층、제이층nc-Si적량급전하존저상태.결합전류전압(I-V)특성적측량,대전하존저적궤리진행료심입분석.
