化工学报
化工學報
화공학보
JOURNAL OF CHEMICAL INDUSY AND ENGINEERING (CHINA)
2008年
3期
665-669
,共5页
朱律均%徐群杰%曹为民%万宗跃%印仁和%周国定%林昌健
硃律均%徐群傑%曹為民%萬宗躍%印仁和%週國定%林昌健
주률균%서군걸%조위민%만종약%인인화%주국정%림창건
聚天冬氨酸%光电化学%缓蚀剂%铜
聚天鼕氨痠%光電化學%緩蝕劑%銅
취천동안산%광전화학%완식제%동
用光电化学方法研究了绿色水处理药剂聚天冬氨酸对铜的缓蚀作用,铜在硼酸-硼砂缓冲溶液(pH=9.2)中,表面的Cu2O膜显p-型光响应,添加适量缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)后,PASP吸附在铜电极表面成膜促使Cu2O膜增厚,体现在电位在负向扫描过程中Cu2O膜的p-型光电流增大.P-型光电流越大,缓蚀性能越好.当PASP浓度为3 mg·L-1时,Cu2O膜的p-型光电流最大,缓蚀性能最好.C1-的存在会阻止PASP在铜电极表面的吸附,使Cu2O膜暴露而受侵蚀,导致了PASP的缓蚀性能变差.
用光電化學方法研究瞭綠色水處理藥劑聚天鼕氨痠對銅的緩蝕作用,銅在硼痠-硼砂緩遲溶液(pH=9.2)中,錶麵的Cu2O膜顯p-型光響應,添加適量緩蝕劑聚天鼕氨痠(PASP)後,PASP吸附在銅電極錶麵成膜促使Cu2O膜增厚,體現在電位在負嚮掃描過程中Cu2O膜的p-型光電流增大.P-型光電流越大,緩蝕性能越好.噹PASP濃度為3 mg·L-1時,Cu2O膜的p-型光電流最大,緩蝕性能最好.C1-的存在會阻止PASP在銅電極錶麵的吸附,使Cu2O膜暴露而受侵蝕,導緻瞭PASP的緩蝕性能變差.
용광전화학방법연구료록색수처리약제취천동안산대동적완식작용,동재붕산-붕사완충용액(pH=9.2)중,표면적Cu2O막현p-형광향응,첨가괄량완식제취천동안산(PASP)후,PASP흡부재동전겁표면성막촉사Cu2O막증후,체현재전위재부향소묘과정중Cu2O막적p-형광전류증대.P-형광전류월대,완식성능월호.당PASP농도위3 mg·L-1시,Cu2O막적p-형광전류최대,완식성능최호.C1-적존재회조지PASP재동전겁표면적흡부,사Cu2O막폭로이수침식,도치료PASP적완식성능변차.
