发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2011年
6期
608-611
,共4页
光致发光谱%重离子辐照%缺陷
光緻髮光譜%重離子輻照%缺陷
광치발광보%중리자복조%결함
用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,再用高能Pb和Xe离子对薄膜进行辐照,最后用荧光光谱分析了辐照参数(剂量、电子能损值)与发光特性改变的相关性.研究发现,快重离子辐照能显著影响薄膜的发光特性,进一步分析显示,辐照导致了SiO2薄膜内O-Si-O缺陷、缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的产生,且缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的数量会随Pb离子辐照剂量的增加而增多,而O-Si-O缺陷和缺氧缺陷的形成需要较高的电子能损值.
用濕氧化法在單晶硅錶麵生長瞭非晶態SiO2薄膜,再用高能Pb和Xe離子對薄膜進行輻照,最後用熒光光譜分析瞭輻照參數(劑量、電子能損值)與髮光特性改變的相關性.研究髮現,快重離子輻照能顯著影響薄膜的髮光特性,進一步分析顯示,輻照導緻瞭SiO2薄膜內O-Si-O缺陷、缺氧缺陷和非橋式氧空位缺陷的產生,且缺氧缺陷和非橋式氧空位缺陷的數量會隨Pb離子輻照劑量的增加而增多,而O-Si-O缺陷和缺氧缺陷的形成需要較高的電子能損值.
용습양화법재단정규표면생장료비정태SiO2박막,재용고능Pb화Xe리자대박막진행복조,최후용형광광보분석료복조삼수(제량、전자능손치)여발광특성개변적상관성.연구발현,쾌중리자복조능현저영향박막적발광특성,진일보분석현시,복조도치료SiO2박막내O-Si-O결함、결양결함화비교식양공위결함적산생,차결양결함화비교식양공위결함적수량회수Pb리자복조제량적증가이증다,이O-Si-O결함화결양결함적형성수요교고적전자능손치.
