南京邮电大学学报（自然科学版）
南京郵電大學學報（自然科學版）
남경유전대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS(NATURAL SCIENCE)
2012年
2期
103-108
,共6页
读出电路%红外焦平面%直接注入%像素单元
讀齣電路%紅外焦平麵%直接註入%像素單元
독출전로%홍외초평면%직접주입%상소단원
提出了一种320×256红外焦平面阵列读出电路的原理及电路设计,采用直接注入的单元电路,在给定的单元面积内可以获得较大的积分电容.相关的320×256阵列读出电路已经在0.5 μm双层多晶三层铝N阱CMOS工艺线上实现,整体芯片的面积为9.0 mm× 11.2 mm.实测结果表明芯片在常温和低温77 K时都工作正常,工作频率大于5 MHz,整电路的功耗为48 mW左右,动态范围是75 dB,噪声电压为0.5 mV.
提齣瞭一種320×256紅外焦平麵陣列讀齣電路的原理及電路設計,採用直接註入的單元電路,在給定的單元麵積內可以穫得較大的積分電容.相關的320×256陣列讀齣電路已經在0.5 μm雙層多晶三層鋁N阱CMOS工藝線上實現,整體芯片的麵積為9.0 mm× 11.2 mm.實測結果錶明芯片在常溫和低溫77 K時都工作正常,工作頻率大于5 MHz,整電路的功耗為48 mW左右,動態範圍是75 dB,譟聲電壓為0.5 mV.
제출료일충320×256홍외초평면진렬독출전로적원리급전로설계,채용직접주입적단원전로,재급정적단원면적내가이획득교대적적분전용.상관적320×256진렬독출전로이경재0.5 μm쌍층다정삼층려N정CMOS공예선상실현,정체심편적면적위9.0 mm× 11.2 mm.실측결과표명심편재상온화저온77 K시도공작정상,공작빈솔대우5 MHz,정전로적공모위48 mW좌우,동태범위시75 dB,조성전압위0.5 mV.
