CAJ | 학술논문

针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出.采用全离子注入,实现了基区宽度为80～100 nm的npn纵向结构.基极用电压输入,Vbe在1.2 V附近时,跨导峰值gmac(△Ic/△Vbe)=0.4 mS,βac(△Ic/△Ib)=2.5.当Vbe从0.5 V变到1.2 V时,gmac/gm比βac/β大得多.跨导比电流增益更能准确地描述器件特性.这种器件更倾向于电压控制型器件,用输入电压的变化可以很方便地控制器件开关状态的转换,特别适合于数字电路的开发和应用.采用研制的器件连接了双稳态电路,在电压脉冲的控制下实现了双稳态的翻转.
침대수자전로적개발화응용,설계료일충박기구정체관,기횡향결구채용단측기겁인출.채용전리자주입,실현료기구관도위80～100 nm적npn종향결구.기겁용전압수입,Vbe재1.2 V부근시,과도봉치gmac(△Ic/△Vbe)=0.4 mS,βac(△Ic/△Ib)=2.5.당Vbe종0.5 V변도1.2 V시,gmac/gm비βac/β대득다.과도비전류증익경능준학지묘술기건특성.저충기건경경향우전압공제형기건,용수입전압적변화가이흔방편지공제기건개관상태적전환,특별괄합우수자전로적개발화응용.채용연제적기건련접료쌍은태전로,재전압맥충적공제하실현료쌍은태적번전.