红外
紅外
홍외
INFRARED
2005年
9期
19-24,48
,共7页
分子束外延%Si衬底%Ge衬底%CdTe%HgCdTe%晶向%晶格失配
分子束外延%Si襯底%Ge襯底%CdTe%HgCdTe%晶嚮%晶格失配
분자속외연%Si츤저%Ge츤저%CdTe%HgCdTe%정향%정격실배
在当前大规模红外焦平面器件的研制中,高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.衬底和外延材料的晶格失配导致了大量的位错增殖,严重影响红外焦平面器件的工作性能.本文对各种衬底进行了比较,并对Si基和Ge基上的外延碲镉汞材料的生长工艺及性能进行了调研和评价.
在噹前大規模紅外焦平麵器件的研製中,高性能器件的製備需要高質量、大麵積、組分均勻的碲鎘汞材料.襯底和外延材料的晶格失配導緻瞭大量的位錯增殖,嚴重影響紅外焦平麵器件的工作性能.本文對各種襯底進行瞭比較,併對Si基和Ge基上的外延碲鎘汞材料的生長工藝及性能進行瞭調研和評價.
재당전대규모홍외초평면기건적연제중,고성능기건적제비수요고질량、대면적、조분균균적제력홍재료.츤저화외연재료적정격실배도치료대량적위착증식,엄중영향홍외초평면기건적공작성능.본문대각충츤저진행료비교,병대Si기화Ge기상적외연제력홍재료적생장공예급성능진행료조연화평개.
