光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
4期
450-454
,共5页
多孔Si(PS)%光致发光(PL)%臭氧处理(OT)%傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)
多孔Si(PS)%光緻髮光(PL)%臭氧處理(OT)%傅立葉變換紅外吸收譜(FTIR)
다공Si(PS)%광치발광(PL)%취양처리(OT)%부립협변환홍외흡수보(FTIR)
开发了用O3氧化钝化多孔Si(PS)的实用工艺方法.O3的基本作用是对Si-Hx和Si悬挂键(DB)的充分氧化,经过随后158 d贮存的老化实验,得到了表面Si-Hx键完全被Si-Ox膜和Si-烷基膜所替代并覆盖的PS,其光致发光(PL)强度达到稳定的增强,这归因于PS纳米晶粒的表面势垒高度的提高以及量子效率的提高.
開髮瞭用O3氧化鈍化多孔Si(PS)的實用工藝方法.O3的基本作用是對Si-Hx和Si懸掛鍵(DB)的充分氧化,經過隨後158 d貯存的老化實驗,得到瞭錶麵Si-Hx鍵完全被Si-Ox膜和Si-烷基膜所替代併覆蓋的PS,其光緻髮光(PL)彊度達到穩定的增彊,這歸因于PS納米晶粒的錶麵勢壘高度的提高以及量子效率的提高.
개발료용O3양화둔화다공Si(PS)적실용공예방법.O3적기본작용시대Si-Hx화Si현괘건(DB)적충분양화,경과수후158 d저존적노화실험,득도료표면Si-Hx건완전피Si-Ox막화Si-완기막소체대병복개적PS,기광치발광(PL)강도체도은정적증강,저귀인우PS납미정립적표면세루고도적제고이급양자효솔적제고.
