半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
7期
598-601
,共4页
王益军%严诚%邓光绪%张正君%苏德坦%李周奎
王益軍%嚴誠%鄧光緒%張正君%囌德坦%李週奎
왕익군%엄성%산광서%장정군%소덕탄%리주규
介质膜%自激发射%微通道板%像增强器
介質膜%自激髮射%微通道闆%像增彊器
개질막%자격발사%미통도판%상증강기
针对三代微通道板在制作像增强器中出现的电子记忆效应现象进行分析,指出记忆效应的产生机理是通道内壁表面的多孔介质膜(PbO-Al2O3-SiO2系铅铝硅酸盐玻璃)引起的自激发射.分析了多孔介质膜的结构和形成原因,提出了采用调整玻璃材料中SiO2含量、优化金属氧化物的引入种类及数量改进通道内壁结构.工艺上采用减少皮料被酸碱腐蚀的时间和降低还原温度以减少多孔介质膜的形成.实验结果表明,采用新的材料配方,优化的三次酸碱腐蚀和520～560 ℃氢还原工艺消除了微通道板的记忆效应,提高了像增强器的信噪比.
針對三代微通道闆在製作像增彊器中齣現的電子記憶效應現象進行分析,指齣記憶效應的產生機理是通道內壁錶麵的多孔介質膜(PbO-Al2O3-SiO2繫鉛鋁硅痠鹽玻璃)引起的自激髮射.分析瞭多孔介質膜的結構和形成原因,提齣瞭採用調整玻璃材料中SiO2含量、優化金屬氧化物的引入種類及數量改進通道內壁結構.工藝上採用減少皮料被痠堿腐蝕的時間和降低還原溫度以減少多孔介質膜的形成.實驗結果錶明,採用新的材料配方,優化的三次痠堿腐蝕和520～560 ℃氫還原工藝消除瞭微通道闆的記憶效應,提高瞭像增彊器的信譟比.
침대삼대미통도판재제작상증강기중출현적전자기억효응현상진행분석,지출기억효응적산생궤리시통도내벽표면적다공개질막(PbO-Al2O3-SiO2계연려규산염파리)인기적자격발사.분석료다공개질막적결구화형성원인,제출료채용조정파리재료중SiO2함량、우화금속양화물적인입충류급수량개진통도내벽결구.공예상채용감소피료피산감부식적시간화강저환원온도이감소다공개질막적형성.실험결과표명,채용신적재료배방,우화적삼차산감부식화520～560 ℃경환원공예소제료미통도판적기억효응,제고료상증강기적신조비.
