长春理工大学学报（自然科学版）
長春理工大學學報（自然科學版）
장춘리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHANGCHUN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2010年
3期
59-62
,共4页
王国政%熊峥%王蓟%秦旭磊%付申成%王洋%端木庆铎
王國政%熊崢%王薊%秦旭磊%付申成%王洋%耑木慶鐸
왕국정%웅쟁%왕계%진욱뢰%부신성%왕양%단목경탁
高长径比%硅微通道阵列%光电化学腐蚀%诱导坑%暗电流密度
高長徑比%硅微通道陣列%光電化學腐蝕%誘導坑%暗電流密度
고장경비%규미통도진렬%광전화학부식%유도갱%암전류밀도
高长径比硅微通道阵列在光子晶体、硅微通道板、MEMS器件等领域应用前景广阔.本文开展了硅微通道阵列光电化学方法腐蚀实验,重点研究了孔径控制技术.给出了n型硅在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义,提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,研究了暗电流密度与腐蚀时间关系及对腐蚀的影响.根据暗电流及JPS的变化规律调整腐蚀电流,实现了对孔径的控制,制备出通道深度为300 μm.长径比为100的硅微通道阵列结构.
高長徑比硅微通道陣列在光子晶體、硅微通道闆、MEMS器件等領域應用前景廣闊.本文開展瞭硅微通道陣列光電化學方法腐蝕實驗,重點研究瞭孔徑控製技術.給齣瞭n型硅在氫氟痠溶液中的電流-電壓掃描麯線,討論瞭臨界電流密度JPS的意義,提齣瞭一種間接地測量JPS與腐蝕時間關繫的方法,研究瞭暗電流密度與腐蝕時間關繫及對腐蝕的影響.根據暗電流及JPS的變化規律調整腐蝕電流,實現瞭對孔徑的控製,製備齣通道深度為300 μm.長徑比為100的硅微通道陣列結構.
고장경비규미통도진렬재광자정체、규미통도판、MEMS기건등영역응용전경엄활.본문개전료규미통도진렬광전화학방법부식실험,중점연구료공경공제기술.급출료n형규재경불산용액중적전류-전압소묘곡선,토론료림계전류밀도JPS적의의,제출료일충간접지측량JPS여부식시간관계적방법,연구료암전류밀도여부식시간관계급대부식적영향.근거암전류급JPS적변화규률조정부식전류,실현료대공경적공제,제비출통도심도위300 μm.장경비위100적규미통도진렬결구.
