固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
1期
76-80
,共5页
郭文婷%王文礼%王肖莹%隋文泉
郭文婷%王文禮%王肖瑩%隋文泉
곽문정%왕문례%왕초형%수문천
单刀九掷射频开关%低插入损耗%高隔离度%高线性度%高功率%升压电路
單刀九擲射頻開關%低插入損耗%高隔離度%高線性度%高功率%升壓電路
단도구척사빈개관%저삽입손모%고격리도%고선성도%고공솔%승압전로
描述一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的射频开关芯片的设计实例.该开关为单刀九掷,包括GSM系统四个通信波段的两条发射通路和四条接收通路以及TD-SCDMA系统三个通信波段的三条收发通路.通过采用一种直流升压驱动电路来改善线性度,可以达到射频开关SJ功率容量为35 dBm,芯片的实测指标为所有通路的插入损耗不大于1.2 dB,通路之间的隔离度不小于40 dB,谐波抑制比大于66 dBc.
描述一箇基于0.5μm GaAs PHEMT工藝的射頻開關芯片的設計實例.該開關為單刀九擲,包括GSM繫統四箇通信波段的兩條髮射通路和四條接收通路以及TD-SCDMA繫統三箇通信波段的三條收髮通路.通過採用一種直流升壓驅動電路來改善線性度,可以達到射頻開關SJ功率容量為35 dBm,芯片的實測指標為所有通路的插入損耗不大于1.2 dB,通路之間的隔離度不小于40 dB,諧波抑製比大于66 dBc.
묘술일개기우0.5μm GaAs PHEMT공예적사빈개관심편적설계실례.해개관위단도구척,포괄GSM계통사개통신파단적량조발사통로화사조접수통로이급TD-SCDMA계통삼개통신파단적삼조수발통로.통과채용일충직류승압구동전로래개선선성도,가이체도사빈개관SJ공솔용량위35 dBm,심편적실측지표위소유통로적삽입손모불대우1.2 dB,통로지간적격리도불소우40 dB,해파억제비대우66 dBc.
