发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2004年
5期
561-566
,共6页
陈松岩%蔡贝妮%黄燕华%蔡加法
陳鬆巖%蔡貝妮%黃燕華%蔡加法
진송암%채패니%황연화%채가법
多孔硅(PS)%湿法氧化%光致发光(PL)
多孔硅(PS)%濕法氧化%光緻髮光(PL)
다공규(PS)%습법양화%광치발광(PL)
在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径,提出了一种新型阳极氧化方法,并探讨了该方法所涉及的阳极氧化条件.采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,发现氧化使多孔硅光致发光性质得到极大改善,进而研究了氧化电流、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响,并给出了合理解释.实验发现,在1 mA,10min,60℃的氧化条件下,采用阳极氧化技术使多孔硅发光强度增强了18倍.
在適噹條件下氧化多孔硅是提高多孔硅髮光彊度的良好途徑,提齣瞭一種新型暘極氧化方法,併探討瞭該方法所涉及的暘極氧化條件.採用含CH3CSNH2的HF痠水溶液作為氧化劑對初始多孔硅進行瞭濕法暘極氧化,髮現氧化使多孔硅光緻髮光性質得到極大改善,進而研究瞭氧化電流、氧化溫度、氧化時間等一繫列因素對氧化多孔硅光緻髮光彊度的影響,併給齣瞭閤理解釋.實驗髮現,在1 mA,10min,60℃的氧化條件下,採用暘極氧化技術使多孔硅髮光彊度增彊瞭18倍.
재괄당조건하양화다공규시제고다공규발광강도적량호도경,제출료일충신형양겁양화방법,병탐토료해방법소섭급적양겁양화조건.채용함CH3CSNH2적HF산수용액작위양화제대초시다공규진행료습법양겁양화,발현양화사다공규광치발광성질득도겁대개선,진이연구료양화전류、양화온도、양화시간등일계렬인소대양화다공규광치발광강도적영향,병급출료합리해석.실험발현,재1 mA,10min,60℃적양화조건하,채용양겁양화기술사다공규발광강도증강료18배.
