光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2004年
10期
1162-1165,1180
,共5页
高景生%宋昌烈%李成仁%李淑凤%宋琦%黄开玉%李国卿
高景生%宋昌烈%李成仁%李淑鳳%宋琦%黃開玉%李國卿
고경생%송창렬%리성인%리숙봉%송기%황개옥%리국경
中频溅射%Yb3+/Er3+共掺%光致发光光谱%退火
中頻濺射%Yb3+/Er3+共摻%光緻髮光光譜%退火
중빈천사%Yb3+/Er3+공참%광치발광광보%퇴화
用中频孪生靶溅射法在硅片上制备了镱铒共掺氧化铝薄膜(2 cm×2 cm),在室温下检测到薄膜的位于1 535 nm的很强的光致发光光谱(PL),讨论了泵浦功率、镱铒共掺比例、退火温度对光致发光光谱强度的影响.扫描电镜(SEM)观察分析表明,中频孪生靶溅射法沉积的薄膜致密、均匀、光学缺陷少.实验结果表明:镱铒共掺薄膜的荧光强度不随泵浦功率的增加而饱和,最佳的镱铒共掺杂比例9∶1,最佳退火温度850 ℃,对各种实验结果给出了理论的解释.
用中頻孿生靶濺射法在硅片上製備瞭鐿鉺共摻氧化鋁薄膜(2 cm×2 cm),在室溫下檢測到薄膜的位于1 535 nm的很彊的光緻髮光光譜(PL),討論瞭泵浦功率、鐿鉺共摻比例、退火溫度對光緻髮光光譜彊度的影響.掃描電鏡(SEM)觀察分析錶明,中頻孿生靶濺射法沉積的薄膜緻密、均勻、光學缺陷少.實驗結果錶明:鐿鉺共摻薄膜的熒光彊度不隨泵浦功率的增加而飽和,最佳的鐿鉺共摻雜比例9∶1,最佳退火溫度850 ℃,對各種實驗結果給齣瞭理論的解釋.
용중빈련생파천사법재규편상제비료의이공참양화려박막(2 cm×2 cm),재실온하검측도박막적위우1 535 nm적흔강적광치발광광보(PL),토론료빙포공솔、의이공참비례、퇴화온도대광치발광광보강도적영향.소묘전경(SEM)관찰분석표명,중빈련생파천사법침적적박막치밀、균균、광학결함소.실험결과표명:의이공참박막적형광강도불수빙포공솔적증가이포화,최가적의이공참잡비례9∶1,최가퇴화온도850 ℃,대각충실험결과급출료이론적해석.
