微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2006年
3期
125-129
,共5页
宋颖娉%郭霞%艾伟伟%董立闽%沈光地
宋穎娉%郭霞%艾偉偉%董立閩%瀋光地
송영빙%곽하%애위위%동립민%침광지
感应耦合等离子体刻蚀%GaN%刻蚀速率%选择比%垂直度
感應耦閤等離子體刻蝕%GaN%刻蝕速率%選擇比%垂直度
감응우합등리자체각식%GaN%각식속솔%선택비%수직도
研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响.研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率的增大单调增大;刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小,随压强增大而增大.还研究了刻蚀速率和选择比与气体比例变化的关系.刻蚀SEM图表明,压强和RF功率增大会使刻蚀垂直度增大.
研究瞭用Cl2/BCl3刻蝕GaN基LED中,工藝參數對GaN刻蝕速率、刻蝕側壁和GaN與SiO2刻蝕選擇比的影響.研究結果錶明,刻蝕速率隨著ICP功率和壓彊的增大先增大繼而減小,隨RF功率的增大單調增大;刻蝕選擇比隨ICP功率增大單調減小,隨壓彊增大而增大.還研究瞭刻蝕速率和選擇比與氣體比例變化的關繫.刻蝕SEM圖錶明,壓彊和RF功率增大會使刻蝕垂直度增大.
연구료용Cl2/BCl3각식GaN기LED중,공예삼수대GaN각식속솔、각식측벽화GaN여SiO2각식선택비적영향.연구결과표명,각식속솔수착ICP공솔화압강적증대선증대계이감소,수RF공솔적증대단조증대;각식선택비수ICP공솔증대단조감소,수압강증대이증대.환연구료각식속솔화선택비여기체비례변화적관계.각식SEM도표명,압강화RF공솔증대회사각식수직도증대.
