真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2006年
6期
446-450
,共5页
孙柏%邹崇文%刘忠良%徐彭寿%张国斌%韦世强
孫柏%鄒崇文%劉忠良%徐彭壽%張國斌%韋世彊
손백%추숭문%류충량%서팽수%장국빈%위세강
氧化锌%脉冲激光淀积%X射线光电子能谱%广延X射线吸收精细结构%光致发光
氧化鋅%脈遲激光澱積%X射線光電子能譜%廣延X射線吸收精細結構%光緻髮光
양화자%맥충격광정적%X사선광전자능보%엄연X사선흡수정세결구%광치발광
在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积(PLD)方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜.ZnO薄膜的结构分别通过X射线衍射(XRD)和广延X射线吸收精细结构(EXAFS)来表征,而表面成份和化学态则通过X射线光电子能谱来研究.利用光致发光(PL)来研究样品的发光特性.XRD结果和EXAFS结果都表明了500 ℃时生长的ZnO薄膜的结晶性比300 ℃时生长的要好.EXAFS结果和XPS结果显示,300 ℃时生长的ZnO薄膜处于富氧状态,而500 ℃时生长的则处于缺氧状态.结合XRD谱、EXAFS谱、XPS谱和PL谱的结果可以看到:随着ZnO薄膜的结晶性变好,它的紫外发光增强;另一方面,随着ZnO薄膜中O的含量减少,绿光发射变强.我们的结果表明绿光发射与ZnO中氧空位(Vo)有关.
在不同的襯底溫度下,通過脈遲激光澱積(PLD)方法在Si襯底上生長齣c軸高度取嚮的ZnO薄膜.ZnO薄膜的結構分彆通過X射線衍射(XRD)和廣延X射線吸收精細結構(EXAFS)來錶徵,而錶麵成份和化學態則通過X射線光電子能譜來研究.利用光緻髮光(PL)來研究樣品的髮光特性.XRD結果和EXAFS結果都錶明瞭500 ℃時生長的ZnO薄膜的結晶性比300 ℃時生長的要好.EXAFS結果和XPS結果顯示,300 ℃時生長的ZnO薄膜處于富氧狀態,而500 ℃時生長的則處于缺氧狀態.結閤XRD譜、EXAFS譜、XPS譜和PL譜的結果可以看到:隨著ZnO薄膜的結晶性變好,它的紫外髮光增彊;另一方麵,隨著ZnO薄膜中O的含量減少,綠光髮射變彊.我們的結果錶明綠光髮射與ZnO中氧空位(Vo)有關.
재불동적츤저온도하,통과맥충격광정적(PLD)방법재Si츤저상생장출c축고도취향적ZnO박막.ZnO박막적결구분별통과X사선연사(XRD)화엄연X사선흡수정세결구(EXAFS)래표정,이표면성빈화화학태칙통과X사선광전자능보래연구.이용광치발광(PL)래연구양품적발광특성.XRD결과화EXAFS결과도표명료500 ℃시생장적ZnO박막적결정성비300 ℃시생장적요호.EXAFS결과화XPS결과현시,300 ℃시생장적ZnO박막처우부양상태,이500 ℃시생장적칙처우결양상태.결합XRD보、EXAFS보、XPS보화PL보적결과가이간도:수착ZnO박막적결정성변호,타적자외발광증강;령일방면,수착ZnO박막중O적함량감소,록광발사변강.아문적결과표명록광발사여ZnO중양공위(Vo)유관.
