气相生长氮化铝单晶的新方法
기상생장담화려단정적신방법
A Novel Method for Growing AlN Single Crystal by Physical Vapor Transport
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2007年 1期 1-4 ,共4页

    武红磊%郑瑞生%孙秀明%罗飞%杨帆%刘文%敬守勇

    무홍뢰%정서생%손수명%라비%양범%류문%경수용

    氮化铝%物理气相传输%单晶 氮化鋁%物理氣相傳輸%單晶
    담화려%물리기상전수%단정
    通过在钨坩埚盖开小孔的方法改变氮化铝结晶衬底上的温度场分布,在开孔处形成局部低温区;由于孔的几何尺寸的限制和氮化铝晶体生长的各向异性,开孔处的氮化铝晶体单晶化;随后,开孔处的单晶起籽晶的作用,逐渐长成较大尺寸、较高质量的氮化铝单晶.目前用该方法已经制备出直径大于2mm的氮化铝单晶体.
    통과재오감과개개소공적방법개변담화려결정츤저상적온도장분포,재개공처형성국부저온구;유우공적궤하척촌적한제화담화려정체생장적각향이성,개공처적담화려정체단정화;수후,개공처적단정기자정적작용,축점장성교대척촌、교고질량적담화려단정.목전용해방법이경제비출직경대우2mm적담화려단정체.
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