光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2008年
12期
2431-2435
,共5页
黄火林%张峰%吴正云%齐红基%姚建可%范正修%邵建达
黃火林%張峰%吳正雲%齊紅基%姚建可%範正脩%邵建達
황화림%장봉%오정운%제홍기%요건가%범정수%소건체
薄膜光学%Al2O3SiO2双层减反射膜%电子束蒸发%4H-SiC基底%折射率
薄膜光學%Al2O3SiO2雙層減反射膜%電子束蒸髮%4H-SiC基底%摺射率
박막광학%Al2O3SiO2쌍층감반사막%전자속증발%4H-SiC기저%절사솔
在4H-SiC基底上设计并制备了Al2O3SiO2紫外双层减反射膜,通过扫描电镜(SEM)和实测反射率谱来验证理论设计的正确性.利用编程计算得到Al2O2和SiO2的最优物理膜厚分别为42.0 nm和96.1 nm以及参考波长λ=280 nm处最小反射率为0.09%.由误差分析可知,实际镀膜时保持双层膜厚度之和与理论值一致有利于降低膜系反射率.实验中应当准确控制SiO2折射率并使Al2O3折射率接近1.715.用电子束蒸发法在4H-SiC基底上淀积Al2O3SiO2双层膜,厚度分别为42 nm和96 nm.SEM截面图表明淀积的薄膜和基底间具有较强的附着力.实测反射率极小值为0.33%,对应λ=276 nm,与理论结果吻合较好.与传统SiO2单层膜相比,Al2O3SiO2双层膜具有反射率小,波长选择性好等优点,从而论证了其在4H-SiC基紫外光电器件减反射膜上具有较好的应用前景.
在4H-SiC基底上設計併製備瞭Al2O3SiO2紫外雙層減反射膜,通過掃描電鏡(SEM)和實測反射率譜來驗證理論設計的正確性.利用編程計算得到Al2O2和SiO2的最優物理膜厚分彆為42.0 nm和96.1 nm以及參攷波長λ=280 nm處最小反射率為0.09%.由誤差分析可知,實際鍍膜時保持雙層膜厚度之和與理論值一緻有利于降低膜繫反射率.實驗中應噹準確控製SiO2摺射率併使Al2O3摺射率接近1.715.用電子束蒸髮法在4H-SiC基底上澱積Al2O3SiO2雙層膜,厚度分彆為42 nm和96 nm.SEM截麵圖錶明澱積的薄膜和基底間具有較彊的附著力.實測反射率極小值為0.33%,對應λ=276 nm,與理論結果吻閤較好.與傳統SiO2單層膜相比,Al2O3SiO2雙層膜具有反射率小,波長選擇性好等優點,從而論證瞭其在4H-SiC基紫外光電器件減反射膜上具有較好的應用前景.
재4H-SiC기저상설계병제비료Al2O3SiO2자외쌍층감반사막,통과소묘전경(SEM)화실측반사솔보래험증이론설계적정학성.이용편정계산득도Al2O2화SiO2적최우물리막후분별위42.0 nm화96.1 nm이급삼고파장λ=280 nm처최소반사솔위0.09%.유오차분석가지,실제도막시보지쌍층막후도지화여이론치일치유리우강저막계반사솔.실험중응당준학공제SiO2절사솔병사Al2O3절사솔접근1.715.용전자속증발법재4H-SiC기저상정적Al2O3SiO2쌍층막,후도분별위42 nm화96 nm.SEM절면도표명정적적박막화기저간구유교강적부착력.실측반사솔겁소치위0.33%,대응λ=276 nm,여이론결과문합교호.여전통SiO2단층막상비,Al2O3SiO2쌍층막구유반사솔소,파장선택성호등우점,종이론증료기재4H-SiC기자외광전기건감반사막상구유교호적응용전경.
