中国表面工程
中國錶麵工程
중국표면공정
CHINA SURFACE ENGINEERING
2010年
5期
21-26
,共6页
CdS薄膜%化学浴沉积(CBD)%水浴温度
CdS薄膜%化學浴沉積(CBD)%水浴溫度
CdS박막%화학욕침적(CBD)%수욕온도
采用化学浴沉积法(CBD)在硫酸镉、硫脲、氨水、氯化铵溶液体系中制备了CdS薄膜,研究了水浴温度对CdS薄膜的生长过程和物理性能的影响.试验表明,CdS薄膜的生长速率随着水浴温度提高而显著增加,薄膜从疏松变的致密,但是过高的水浴温度会导致表面晶粒变的粗糙;薄膜的结晶程度随着水浴温度提高而增强,择优取向明显;制得的CdS薄膜均有较高的光透过率,随着水浴温度的提高,薄膜厚度增加,透过率在波长560 nm处出现峰值;所得薄膜均是富Cd的,且随着水浴温度的提高Cd含量也增加;薄膜的暗电导率约为10-5～10-4 Ω-1cm-1,比光电导率小2～3个数量级,电导率与水浴温度没有明显对应关系.
採用化學浴沉積法(CBD)在硫痠鎘、硫脲、氨水、氯化銨溶液體繫中製備瞭CdS薄膜,研究瞭水浴溫度對CdS薄膜的生長過程和物理性能的影響.試驗錶明,CdS薄膜的生長速率隨著水浴溫度提高而顯著增加,薄膜從疏鬆變的緻密,但是過高的水浴溫度會導緻錶麵晶粒變的粗糙;薄膜的結晶程度隨著水浴溫度提高而增彊,擇優取嚮明顯;製得的CdS薄膜均有較高的光透過率,隨著水浴溫度的提高,薄膜厚度增加,透過率在波長560 nm處齣現峰值;所得薄膜均是富Cd的,且隨著水浴溫度的提高Cd含量也增加;薄膜的暗電導率約為10-5～10-4 Ω-1cm-1,比光電導率小2～3箇數量級,電導率與水浴溫度沒有明顯對應關繫.
채용화학욕침적법(CBD)재류산력、류뇨、안수、록화안용액체계중제비료CdS박막,연구료수욕온도대CdS박막적생장과정화물이성능적영향.시험표명,CdS박막적생장속솔수착수욕온도제고이현저증가,박막종소송변적치밀,단시과고적수욕온도회도치표면정립변적조조;박막적결정정도수착수욕온도제고이증강,택우취향명현;제득적CdS박막균유교고적광투과솔,수착수욕온도적제고,박막후도증가,투과솔재파장560 nm처출현봉치;소득박막균시부Cd적,차수착수욕온도적제고Cd함량야증가;박막적암전도솔약위10-5～10-4 Ω-1cm-1,비광전도솔소2～3개수량급,전도솔여수욕온도몰유명현대응관계.
