0.18μm CMOS带隙基准电压源的设计
0.18μm CMOS대극기준전압원적설계
Design of 0.18μm CMOS bandgap reference voltage source
  • 万方数据
    电子技术应用 전자기술응용
    APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE
    2011年 3期 51-53,57 ,共4页

    陈双文%刘章发

    진쌍문%류장발

    带隙基准%0.18 μm CMOS%温度系数 帶隙基準%0.18 μm CMOS%溫度繫數
    대극기준%0.18 μm CMOS%온도계수
    基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中.使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源.
    기준전압원가엄범응용우A/D、D/A전환기、수궤동태존저기、섬존이급계통집성심편중.사용0.18 μm CMOS공예설계료구유고은정도、저온표、저수출전압위0.6 V적CMOS기준전압원.
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