功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2011年
6期
992-995
,共4页
张菲%朱俊%罗文博%郝兰众%李言荣
張菲%硃俊%囉文博%郝蘭衆%李言榮
장비%주준%라문박%학란음%리언영
脉冲激光沉积%PZT%MgO%C-V%I-V
脈遲激光沉積%PZT%MgO%C-V%I-V
맥충격광침적%PZT%MgO%C-V%I-V
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48) O3 (PZT)铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构(MFIS).XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿(111)面择优取向生长.电流-电压(I-V )测试结果显示,MgO缓冲层的引入大大改善了集成体系的电学性能.在外加电压为-8V时,与无MgO缓冲层的MFS异质体系相比较,该MFIS结构的漏电流密度降低了5个数量级.集成体系的电容-电压(C-V)表现出逆时针窗口特征,反映了铁电极化对二维电子气(2DEG)的调制作用.随着缓冲层厚度的降低,铁电极化对2DEG的调制作用逐渐增强.当MgO缓冲层厚度达到2nm时,C-V窗口达到0.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V.
採用脈遲激光沉積(PLD)技術,以MgO作為緩遲層,在AlGaN/GaN半導體異質結構上沉積瞭Pb(Zr0.52T0.48) O3 (PZT)鐵電薄膜,從而形成金屬-鐵電-介質-半導體結構(MFIS).XRD掃描結果錶明,通過MgO緩遲層對界麵結構的優化,實現瞭PZT薄膜沿(111)麵擇優取嚮生長.電流-電壓(I-V )測試結果顯示,MgO緩遲層的引入大大改善瞭集成體繫的電學性能.在外加電壓為-8V時,與無MgO緩遲層的MFS異質體繫相比較,該MFIS結構的漏電流密度降低瞭5箇數量級.集成體繫的電容-電壓(C-V)錶現齣逆時針窗口特徵,反映瞭鐵電極化對二維電子氣(2DEG)的調製作用.隨著緩遲層厚度的降低,鐵電極化對2DEG的調製作用逐漸增彊.噹MgO緩遲層厚度達到2nm時,C-V窗口達到0.7V,閾值電壓(Vth)降低到-1.7V,閾值電壓(Vth)降低到-1.7V.
채용맥충격광침적(PLD)기술,이MgO작위완충층,재AlGaN/GaN반도체이질결구상침적료Pb(Zr0.52T0.48) O3 (PZT)철전박막,종이형성금속-철전-개질-반도체결구(MFIS).XRD소묘결과표명,통과MgO완충층대계면결구적우화,실현료PZT박막연(111)면택우취향생장.전류-전압(I-V )측시결과현시,MgO완충층적인입대대개선료집성체계적전학성능.재외가전압위-8V시,여무MgO완충층적MFS이질체계상비교,해MFIS결구적루전류밀도강저료5개수량급.집성체계적전용-전압(C-V)표현출역시침창구특정,반영료철전겁화대이유전자기(2DEG)적조제작용.수착완충층후도적강저,철전겁화대2DEG적조제작용축점증강.당MgO완충층후도체도2nm시,C-V창구체도0.7V,역치전압(Vth)강저도-1.7V,역치전압(Vth)강저도-1.7V.
