半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
1期
37-41
,共5页
张家奇%赵杰%刘超%崔利杰%曾一平
張傢奇%趙傑%劉超%崔利傑%曾一平
장가기%조걸%류초%최리걸%증일평
碲化锌%异质外延%低温缓冲层%高温缓冲层%分子束外延
碲化鋅%異質外延%低溫緩遲層%高溫緩遲層%分子束外延
제화자%이질외연%저온완충층%고온완충층%분자속외연
研究了低温缓冲层对在GaAs (001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响.发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线( DCXRC)的ZnTe (004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcsec减小到421 arcsec,表面均方根(RMS)粗糙度从6.05 nm下降到3.93 nm.而作为对比,插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用.基本上实现了优化工艺的目标并为研制ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础.
研究瞭低溫緩遲層對在GaAs (001)襯底上用分子束外延(MBE)生長ZnTe薄膜晶體質量的影響.髮現插入低溫緩遲層後ZnTe的結晶質量、錶麵形貌和髮光質量都得到瞭顯著的提高,雙晶X射線搖襬麯線( DCXRC)的ZnTe (004)衍射峰半峰寬(FWHM)從529 arcsec減小到421 arcsec,錶麵均方根(RMS)粗糙度從6.05 nm下降到3.93 nm.而作為對比,插入高溫緩遲層併不能對ZnTe薄膜的質量起到改善作用.基本上實現瞭優化工藝的目標併為研製ZnTe基光電器件微結構材料奠定瞭很好的實驗基礎.
연구료저온완충층대재GaAs (001)츤저상용분자속외연(MBE)생장ZnTe박막정체질량적영향.발현삽입저온완충층후ZnTe적결정질량、표면형모화발광질량도득도료현저적제고,쌍정X사선요파곡선( DCXRC)적ZnTe (004)연사봉반봉관(FWHM)종529 arcsec감소도421 arcsec,표면균방근(RMS)조조도종6.05 nm하강도3.93 nm.이작위대비,삽입고온완충층병불능대ZnTe박막적질량기도개선작용.기본상실현료우화공예적목표병위연제ZnTe기광전기건미결구재료전정료흔호적실험기출.
