半导体情报
半導體情報
반도체정보
SEMICONDUCTOR INFORMATION
2001年
6期
52-54
,共3页
GaN%低压MOCVD%停滞边界层理论%流场%温场
GaN%低壓MOCVD%停滯邊界層理論%流場%溫場
GaN%저압MOCVD%정체변계층이론%류장%온장
用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型.通过优化反应室结构和工艺条件,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延层.
用停滯邊界層理論分析瞭低壓MOCVD外延GaN的生長模型.通過優化反應室結構和工藝條件,成功生長瞭厚度均勻、晶體質量優良的GaN外延層.
용정체변계층이론분석료저압MOCVD외연GaN적생장모형.통과우화반응실결구화공예조건,성공생장료후도균균、정체질량우량적GaN외연층.
