高能物理与核物理
高能物理與覈物理
고능물리여핵물리
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS
2005年
11期
1107-1111
,共5页
单晶Si%空位型缺陷%B扩散%二次离子质谱仪%透射电子显微镜
單晶Si%空位型缺陷%B擴散%二次離子質譜儀%透射電子顯微鏡
단정Si%공위형결함%B확산%이차리자질보의%투사전자현미경
使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响.Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的,注入剂量为2×1014cm-2.Si中附加的空位型缺陷通过两种方式产生:一是采用40或160keV He离子注入单晶Si到剂量5×1016cm-2,并经800℃退火lh;二是采用0.5MeV F或O离子辐照单晶Si到剂量5×1015cm-2.结果显示,不同方式产生的附加的空位型缺陷均能抑制注入的B原子在随后热激活退火中发生瞬间增强扩散效应,并且抑制的效果依赖于离子的种类和离子的能量.结合透射电子显微镜和卢瑟福背散射分析结果对以上抑制效应进行了定性的讨论.
使用二次離子質譜儀分析瞭附加的空位型缺陷對單晶Si中註入B原子熱擴散的影響.Si中B原子是通過30keV B離子室溫註入而引入的,註入劑量為2×1014cm-2.Si中附加的空位型缺陷通過兩種方式產生:一是採用40或160keV He離子註入單晶Si到劑量5×1016cm-2,併經800℃退火lh;二是採用0.5MeV F或O離子輻照單晶Si到劑量5×1015cm-2.結果顯示,不同方式產生的附加的空位型缺陷均能抑製註入的B原子在隨後熱激活退火中髮生瞬間增彊擴散效應,併且抑製的效果依賴于離子的種類和離子的能量.結閤透射電子顯微鏡和盧瑟福揹散射分析結果對以上抑製效應進行瞭定性的討論.
사용이차리자질보의분석료부가적공위형결함대단정Si중주입B원자열확산적영향.Si중B원자시통과30keV B리자실온주입이인입적,주입제량위2×1014cm-2.Si중부가적공위형결함통과량충방식산생:일시채용40혹160keV He리자주입단정Si도제량5×1016cm-2,병경800℃퇴화lh;이시채용0.5MeV F혹O리자복조단정Si도제량5×1015cm-2.결과현시,불동방식산생적부가적공위형결함균능억제주입적B원자재수후열격활퇴화중발생순간증강확산효응,병차억제적효과의뢰우리자적충류화리자적능량.결합투사전자현미경화로슬복배산사분석결과대이상억제효응진행료정성적토론.
