半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
5期
578-581
,共4页
江沛凡%陈哲%曾应新%刘林和%李丰丽
江沛凡%陳哲%曾應新%劉林和%李豐麗
강패범%진철%증응신%류림화%리봉려
侧边抛磨光纤%光功率衰减%折射率%光束传播法
側邊拋磨光纖%光功率衰減%摺射率%光束傳播法
측변포마광섬%광공솔쇠감%절사솔%광속전파법
基于有限差分光束传播法,对侧边抛磨光纤的光传输特性进行了模拟计算.给出了应用自行研制的侧边光纤抛磨机的侧边抛磨光纤的制作方法,并研究了几个影响侧边抛磨光纤光传输特性的参量.实验表明,侧边抛磨光纤的抛磨面与纤芯的剩余厚度d越小,光功率衰减越大,对涂敷材料的折射率变化的灵敏度越大.在抛磨区域浸在折射率约为1.495 的折射率液体的情况下,当d＜5 μm时衰减明显增大.抛磨区长度越长,光功率衰减越大;抛磨表面越粗糙,光功率衰减也越大.
基于有限差分光束傳播法,對側邊拋磨光纖的光傳輸特性進行瞭模擬計算.給齣瞭應用自行研製的側邊光纖拋磨機的側邊拋磨光纖的製作方法,併研究瞭幾箇影響側邊拋磨光纖光傳輸特性的參量.實驗錶明,側邊拋磨光纖的拋磨麵與纖芯的剩餘厚度d越小,光功率衰減越大,對塗敷材料的摺射率變化的靈敏度越大.在拋磨區域浸在摺射率約為1.495 的摺射率液體的情況下,噹d＜5 μm時衰減明顯增大.拋磨區長度越長,光功率衰減越大;拋磨錶麵越粗糙,光功率衰減也越大.
기우유한차분광속전파법,대측변포마광섬적광전수특성진행료모의계산.급출료응용자행연제적측변광섬포마궤적측변포마광섬적제작방법,병연구료궤개영향측변포마광섬광전수특성적삼량.실험표명,측변포마광섬적포마면여섬심적잉여후도d월소,광공솔쇠감월대,대도부재료적절사솔변화적령민도월대.재포마구역침재절사솔약위1.495 적절사솔액체적정황하,당d＜5 μm시쇠감명현증대.포마구장도월장,광공솔쇠감월대;포마표면월조조,광공솔쇠감야월대.
