压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2008年
6期
745-746,750
,共3页
闻伟%杨传仁%张继华%陈宏伟%梁鸿秋%张瑞婷
聞偉%楊傳仁%張繼華%陳宏偉%樑鴻鞦%張瑞婷
문위%양전인%장계화%진굉위%량홍추%장서정
铟锡氧化物(IT0)薄膜%锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜%湿法刻蚀%图形化
銦錫氧化物(IT0)薄膜%鋯鈦痠鉛鑭(PLZT)薄膜%濕法刻蝕%圖形化
인석양화물(IT0)박막%고태산연란(PLZT)박막%습법각식%도형화
介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法.用V(HCI):V(HNO3):V(H2O)=50:3:50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验.通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明.在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图形边缘质量良好和表面无残留物的ITO图形;在同等条件下刻蚀的PLZT薄膜,刻蚀速率不及ITO的2%,表明该刻蚀方法具有良好的选择性.
介紹瞭一種鋯鈦痠鉛鑭(PLZT)基銦錫氧化物(ITO)薄膜的濕法刻蝕法.用V(HCI):V(HNO3):V(H2O)=50:3:50的混閤溶液對ITO進行不同溫度的刻蝕試驗.通過掃描電子顯微鏡(SEM)和X-射線能譜儀(EDS)分析錶明.在35℃經30 nm/min刻蝕能得到圖形邊緣質量良好和錶麵無殘留物的ITO圖形;在同等條件下刻蝕的PLZT薄膜,刻蝕速率不及ITO的2%,錶明該刻蝕方法具有良好的選擇性.
개소료일충고태산연란(PLZT)기인석양화물(ITO)박막적습법각식법.용V(HCI):V(HNO3):V(H2O)=50:3:50적혼합용액대ITO진행불동온도적각식시험.통과소묘전자현미경(SEM)화X-사선능보의(EDS)분석표명.재35℃경30 nm/min각식능득도도형변연질량량호화표면무잔류물적ITO도형;재동등조건하각식적PLZT박막,각식속솔불급ITO적2%,표명해각식방법구유량호적선택성.
