汕头大学学报（自然科学版）
汕頭大學學報（自然科學版）
산두대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SHANTOU UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE EDITION)
2010年
3期
32-38
,共7页
池凌飞%孙凯%赵传熙%吴萍
池凌飛%孫凱%趙傳熙%吳萍
지릉비%손개%조전희%오평
氧化铟%纳米线%可控制备%生长机理
氧化銦%納米線%可控製備%生長機理
양화인%납미선%가공제비%생장궤리
以In2O3和活性炭混合物为蒸发源,利用化学气相沉积法在硅衬底上制备了In2O3纳米线.对In2O3纳米线的生长机理进行讨论,认为在衬底表面维持一定的氧化铟基团浓度是导致出现In2O3纳米线的原因,因此可以通过调节氧化铟基团的浓度去控制准一维In2O3纳米结构的生长.
以In2O3和活性炭混閤物為蒸髮源,利用化學氣相沉積法在硅襯底上製備瞭In2O3納米線.對In2O3納米線的生長機理進行討論,認為在襯底錶麵維持一定的氧化銦基糰濃度是導緻齣現In2O3納米線的原因,因此可以通過調節氧化銦基糰的濃度去控製準一維In2O3納米結構的生長.
이In2O3화활성탄혼합물위증발원,이용화학기상침적법재규츤저상제비료In2O3납미선.대In2O3납미선적생장궤리진행토론,인위재츤저표면유지일정적양화인기단농도시도치출현In2O3납미선적원인,인차가이통과조절양화인기단적농도거공제준일유In2O3납미결구적생장.
