原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2011年
5期
959-962
,共4页
S原子%Ir(001)表面%化学吸附%电子结构%第一性原理计算
S原子%Ir(001)錶麵%化學吸附%電子結構%第一性原理計算
S원자%Ir(001)표면%화학흡부%전자결구%제일성원리계산
采用第一性原理方法模拟了覆盖度对S原子在Ir(001)表面吸附能和电子结构的影响.结果表明:在覆盖度0.50 ML以下,S原子吸附在Hollow空位最稳定,且吸附能几乎不随覆盖度变化；在覆盖度0.66ML以上吸附能随覆盖度增加而减小.吸附体系金属表面d带电子结构随覆盖度变化与O/Pt(111)吸附体系相似.这些结果与Hammer-Norskov模型吻合.
採用第一性原理方法模擬瞭覆蓋度對S原子在Ir(001)錶麵吸附能和電子結構的影響.結果錶明:在覆蓋度0.50 ML以下,S原子吸附在Hollow空位最穩定,且吸附能幾乎不隨覆蓋度變化；在覆蓋度0.66ML以上吸附能隨覆蓋度增加而減小.吸附體繫金屬錶麵d帶電子結構隨覆蓋度變化與O/Pt(111)吸附體繫相似.這些結果與Hammer-Norskov模型吻閤.
채용제일성원리방법모의료복개도대S원자재Ir(001)표면흡부능화전자결구적영향.결과표명:재복개도0.50 ML이하,S원자흡부재Hollow공위최은정,차흡부능궤호불수복개도변화；재복개도0.66ML이상흡부능수복개도증가이감소.흡부체계금속표면d대전자결구수복개도변화여O/Pt(111)흡부체계상사.저사결과여Hammer-Norskov모형문합.
