半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
192-195
,共4页
涂洁磊%王亮兴%张忠卫%池卫英%彭冬生%陈超奇
塗潔磊%王亮興%張忠衛%池衛英%彭鼕生%陳超奇
도길뢰%왕량흥%장충위%지위영%팽동생%진초기
GaAs/Ge太阳电池%I-V特性曲线%计算机模拟%界面扩散
GaAs/Ge太暘電池%I-V特性麯線%計算機模擬%界麵擴散
GaAs/Ge태양전지%I-V특성곡선%계산궤모의%계면확산
分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核条件,成功获得了效率为20.95%(AM0,25℃,2cm× 4cm)的GaAs/Ge太阳电池.
分析瞭GaAs/Ge單結太暘電池研製中兩種異常I-V特性麯線齣現的主要原因:GaAs/Ge界麵的相互擴散,形成附加結或附加勢壘;併穫得與實驗有很好吻閤的計算模擬結果,進一步證實瞭理論分析.此外,在上述分析的指導下,通過降低生長溫度和優化成覈條件,成功穫得瞭效率為20.95%(AM0,25℃,2cm× 4cm)的GaAs/Ge太暘電池.
분석료GaAs/Ge단결태양전지연제중량충이상I-V특성곡선출현적주요원인:GaAs/Ge계면적상호확산,형성부가결혹부가세루;병획득여실험유흔호문합적계산모의결과,진일보증실료이론분석.차외,재상술분석적지도하,통과강저생장온도화우화성핵조건,성공획득료효솔위20.95%(AM0,25℃,2cm× 4cm)적GaAs/Ge태양전지.
