低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2005年
z1期
1012-1016
,共5页
张玉林%胡高宏%丘明%杨广辉%姚志豪
張玉林%鬍高宏%丘明%楊廣輝%姚誌豪
장옥림%호고굉%구명%양엄휘%요지호
低温%IGBT%NPT
低溫%IGBT%NPT
저온%IGBT%NPT
研究表明,半导体材料在低温环境下性能可以得到很大改善.功率MOSFET低温下的优异特性已被深入揭示.本文研究了NPT型IGBT在77～300K之间的特性,实验表明,低温下NPT型IGBT的通态压降,开关损耗都有明显下降,关断拖尾现象也得到明显改善,而门槛电压略有上升.在此基础上,分析了其低温特性的物理机制以及在超导领域的潜在应用.
研究錶明,半導體材料在低溫環境下性能可以得到很大改善.功率MOSFET低溫下的優異特性已被深入揭示.本文研究瞭NPT型IGBT在77～300K之間的特性,實驗錶明,低溫下NPT型IGBT的通態壓降,開關損耗都有明顯下降,關斷拖尾現象也得到明顯改善,而門檻電壓略有上升.在此基礎上,分析瞭其低溫特性的物理機製以及在超導領域的潛在應用.
연구표명,반도체재료재저온배경하성능가이득도흔대개선.공솔MOSFET저온하적우이특성이피심입게시.본문연구료NPT형IGBT재77～300K지간적특성,실험표명,저온하NPT형IGBT적통태압강,개관손모도유명현하강,관단타미현상야득도명현개선,이문함전압략유상승.재차기출상,분석료기저온특성적물리궤제이급재초도영역적잠재응용.
