长春理工大学学报（自然科学版）
長春理工大學學報（自然科學版）
장춘리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHANGCHUN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2007年
1期
18-20
,共3页
高反射膜%减反射膜%光学灾变(COD)%阈值电流密度
高反射膜%減反射膜%光學災變(COD)%閾值電流密度
고반사막%감반사막%광학재변(COD)%역치전류밀도
利用真空镀膜设备,采用电子束离子辅助蒸发技术,在条宽100μm腔长1mm的半导体激光器发光芯片的端面沉积光学介质膜.经测试采用这种技术制作出的高亮度半导体激光器发光芯片的输出功率达3.6W,与未镀膜的器件相比功率提高了2.5～3.1倍,外微分量子效率提高到89.76%,功率效率达到40.2%.激射波长为850.7nm.
利用真空鍍膜設備,採用電子束離子輔助蒸髮技術,在條寬100μm腔長1mm的半導體激光器髮光芯片的耑麵沉積光學介質膜.經測試採用這種技術製作齣的高亮度半導體激光器髮光芯片的輸齣功率達3.6W,與未鍍膜的器件相比功率提高瞭2.5～3.1倍,外微分量子效率提高到89.76%,功率效率達到40.2%.激射波長為850.7nm.
이용진공도막설비,채용전자속리자보조증발기술,재조관100μm강장1mm적반도체격광기발광심편적단면침적광학개질막.경측시채용저충기술제작출적고량도반도체격광기발광심편적수출공솔체3.6W,여미도막적기건상비공솔제고료2.5～3.1배,외미분양자효솔제고도89.76%,공솔효솔체도40.2%.격사파장위850.7nm.
