4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法
4H-SiC사빈MESFET중함정삼수적제취방법
The extraction method for trap parameters in 4H-SiC MESFETs
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2008年 5期 2871-2874 ,共4页

    吕红亮%张义门%张玉明%车勇%王悦湖%陈亮

    려홍량%장의문%장옥명%차용%왕열호%진량

    碳化硅%深能级陷阱%频率偏移 碳化硅%深能級陷阱%頻率偏移
    탄화규%심능급함정%빈솔편이
    针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模拟结果能够较好的反映实验结果.
    침대4H-SiC사빈MESFET중적함정효응,채용해석적방법건립함정모형,분석료함정효응대기건대래적영향,천술료함정적함락-발사궤리,제취료시간상수、함정농도등상관삼수.득도적모의결과능구교호적반영실험결과.
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