2.1GHz CMOS低噪声放大器
2.1GHz CMOS저조성방대기
A CMOS Low Noise Amplifier at 2.1GHz
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2008年 2期 212-214 ,共3页

    铁宏安%李拂晓%李向阳%冯晓辉%姚祥%魏倩%张斌%翁长羽

    철굉안%리불효%리향양%풍효휘%요상%위천%장빈%옹장우

    射频%互补-金属氧化物-半导体%低噪声放大器%噪声系数 射頻%互補-金屬氧化物-半導體%低譟聲放大器%譟聲繫數
    사빈%호보-금속양화물-반도체%저조성방대기%조성계수
    采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RF CMOS窄带低噪声放大器的设计和制作.测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1db输出功率9dBm.
    채용상해화홍NEC0.35μm표준CMOS공예진행RF CMOS착대저조성방대기적설계화제작.측시결과표명,재2.1GHz시,수입주파비1.1,수출주파비1.5,증익18dB,조성계수2.7dB,P-1db수출공솔9dBm.
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