半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
3期
201-204
,共4页
金属有机化合物化学气相沉积%氮化镓%异质外延%横向外延%MOCVD设备
金屬有機化閤物化學氣相沉積%氮化鎵%異質外延%橫嚮外延%MOCVD設備
금속유궤화합물화학기상침적%담화가%이질외연%횡향외연%MOCVD설비
MOCVD%GaN%heteroepitaxy%lateral epitaxy%MOCVD equipment
第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD).其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬底材料;MBE技术制备GaN的速度最慢;而MOCVD制备速度适中.因而MOCVD在外延生长GaN材料方面得到广泛应用.介绍了MOCVD法外延生长GaN材料的基本理论、发展概况、利用MOCVD法外延生长GaN材料的技术进展.认为应结合相关技术发展大面积、高质量GaN衬底的制备技术,不断完善缓冲层技术,改进和发展横向外延技术,加快我国具有国际先进水平的MOCVD设备的研发速度,逐步打破进口设备的垄断.
第三代半導體材料GaN由于具有優良性質使其在微電子和光電子領域有廣闊的應用前景,目前製備GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物氣相外延(HVPE)、金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD).其中HVPE技術製備GaN的速度最快,適閤製備襯底材料;MBE技術製備GaN的速度最慢;而MOCVD製備速度適中.因而MOCVD在外延生長GaN材料方麵得到廣汎應用.介紹瞭MOCVD法外延生長GaN材料的基本理論、髮展概況、利用MOCVD法外延生長GaN材料的技術進展.認為應結閤相關技術髮展大麵積、高質量GaN襯底的製備技術,不斷完善緩遲層技術,改進和髮展橫嚮外延技術,加快我國具有國際先進水平的MOCVD設備的研髮速度,逐步打破進口設備的壟斷.
제삼대반도체재료GaN유우구유우량성질사기재미전자화광전자영역유엄활적응용전경,목전제비GaN적방법주요유분자속(MBE)、록화물기상외연(HVPE)、금속유궤물화학기상침적(MOCVD).기중HVPE기술제비GaN적속도최쾌,괄합제비츤저재료;MBE기술제비GaN적속도최만;이MOCVD제비속도괄중.인이MOCVD재외연생장GaN재료방면득도엄범응용.개소료MOCVD법외연생장GaN재료적기본이론、발전개황、이용MOCVD법외연생장GaN재료적기술진전.인위응결합상관기술발전대면적、고질량GaN츤저적제비기술,불단완선완충층기술,개진화발전횡향외연기술,가쾌아국구유국제선진수평적MOCVD설비적연발속도,축보타파진구설비적롱단.
Gallium-nitride-semiconductor offers good potential value for application in a wide range of optical display, optical recording and illumination due to its excellent quality. At present, molecular beam epitaxity (MBE), Chloride vapor phase epitaxy (HVPE) and metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) are used to prepared GaN. The highest growth rate of GaN can be got by HVPE, and this technique is suitable to prepare GaN substrates, the growth rate is the lowest by MBE, MOCVD is widely used in the growth of GaN because of the its suitable growth rate. The principle theory and development on MOCVD of GaN growth is given. It is essential to develop the fabrication technology of high quantity GaN substrates in large area, buffer layer technology and lateral epitaxy technology. Moreover, the research and development in the international level MOCVD equipment in our country must be speed up, and the monopoly of imported equipment should be gradually broken.
