电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
4期
1194-1196,1200
,共4页
电压基准%电源管理%BCD%电流驱动%电源抑制
電壓基準%電源管理%BCD%電流驅動%電源抑製
전압기준%전원관리%BCD%전류구동%전원억제
基于TSMC 1.0 μm 40 V BCD工艺,利用带隙原理设计了一款用于高压芯片的基准源电路.仿真结果显示,该电路可以工作在10～25 V电源电压下,输出的基准电压精度为13.3×10-6/℃,输出电流高达20 mA,且受电源电压影响很小.与传统高电源电压基准相比,该电路提高了输出电压的精度和稳定性,具有较大的电流驱动能力,完全可以作为芯片内部电源使用.
基于TSMC 1.0 μm 40 V BCD工藝,利用帶隙原理設計瞭一款用于高壓芯片的基準源電路.倣真結果顯示,該電路可以工作在10～25 V電源電壓下,輸齣的基準電壓精度為13.3×10-6/℃,輸齣電流高達20 mA,且受電源電壓影響很小.與傳統高電源電壓基準相比,該電路提高瞭輸齣電壓的精度和穩定性,具有較大的電流驅動能力,完全可以作為芯片內部電源使用.
기우TSMC 1.0 μm 40 V BCD공예,이용대극원리설계료일관용우고압심편적기준원전로.방진결과현시,해전로가이공작재10～25 V전원전압하,수출적기준전압정도위13.3×10-6/℃,수출전류고체20 mA,차수전원전압영향흔소.여전통고전원전압기준상비,해전로제고료수출전압적정도화은정성,구유교대적전류구동능력,완전가이작위심편내부전원사용.
