微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
6期
366-370
,共5页
表面光电压%少数载流子%扩散长度%寿命%外延%衬底
錶麵光電壓%少數載流子%擴散長度%壽命%外延%襯底
표면광전압%소수재류자%확산장도%수명%외연%츤저
介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件.提出了在外延工艺前后,用SPV法测试同一P型控片中少子的扩散长度和体Fe含量,对比前后值的大小来监测Si外延工艺过程中的沾污情况.分别给出了衬底片、石墨基座、HCI、SiHCI3、外延腔体等5种Si外延过程中最常见沾污源的监控和识别流程,特别以平板式外延腔体为例,具体说明了识别及排除Fe沾污所运行的工艺程序,并对Fe沾污的测试结果进行了分析,确定了Fe沾污的来源.
介紹瞭用錶麵光電壓(SPV)法測試少數載流子的擴散長度、少子壽命和體Fe含量的基本原理及其計算方法,分析瞭三種常見外延結構中少子擴散長度的測試方法及其影響因素,得齣瞭用于錶麵光電壓測試的外延片及襯底片應滿足的條件.提齣瞭在外延工藝前後,用SPV法測試同一P型控片中少子的擴散長度和體Fe含量,對比前後值的大小來鑑測Si外延工藝過程中的霑汙情況.分彆給齣瞭襯底片、石墨基座、HCI、SiHCI3、外延腔體等5種Si外延過程中最常見霑汙源的鑑控和識彆流程,特彆以平闆式外延腔體為例,具體說明瞭識彆及排除Fe霑汙所運行的工藝程序,併對Fe霑汙的測試結果進行瞭分析,確定瞭Fe霑汙的來源.
개소료용표면광전압(SPV)법측시소수재류자적확산장도、소자수명화체Fe함량적기본원리급기계산방법,분석료삼충상견외연결구중소자확산장도적측시방법급기영향인소,득출료용우표면광전압측시적외연편급츤저편응만족적조건.제출료재외연공예전후,용SPV법측시동일P형공편중소자적확산장도화체Fe함량,대비전후치적대소래감측Si외연공예과정중적첨오정황.분별급출료츤저편、석묵기좌、HCI、SiHCI3、외연강체등5충Si외연과정중최상견첨오원적감공화식별류정,특별이평판식외연강체위례,구체설명료식별급배제Fe첨오소운행적공예정서,병대Fe첨오적측시결과진행료분석,학정료Fe첨오적래원.
