人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
3期
603-607
,共5页
黄海宾%沈鸿烈%唐正霞%吴天如%张磊
黃海賓%瀋鴻烈%唐正霞%吳天如%張磊
황해빈%침홍렬%당정하%오천여%장뢰
热丝CVD%低温外延%单晶Si衬底%Si膜%Ge膜
熱絲CVD%低溫外延%單晶Si襯底%Si膜%Ge膜
열사CVD%저온외연%단정Si츤저%Si막%Ge막
采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge 薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析.结果表明:在衬底温度200 ℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0 cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04 cm-1.结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300 ℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3 cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220).研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法.
採用熱絲CVD法在單晶Si襯底上進行瞭Si和Ge 薄膜的低溫外延生長,用XRD和Raman譜對其結構性能進行瞭分析.結果錶明:在襯底溫度200 ℃時,Si(111)單晶襯底上外延生長齣瞭Raman峰位置為521.0 cm-1;X射線半峰寬(FWHM)為5.04 cm-1.結晶質量非常接近于體單晶的(111)取嚮的本徵Si薄膜;在襯底溫度為300 ℃時,在Si(100)單晶襯底上異質外延,得到瞭Raman峰位置為300.3 cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶體取嚮為Ge(220).研究錶明熱絲CVD是一種很好的低溫外延薄膜的方法.
채용열사CVD법재단정Si츤저상진행료Si화Ge 박막적저온외연생장,용XRD화Raman보대기결구성능진행료분석.결과표명:재츤저온도200 ℃시,Si(111)단정츤저상외연생장출료Raman봉위치위521.0 cm-1;X사선반봉관(FWHM)위5.04 cm-1.결정질량비상접근우체단정적(111)취향적본정Si박막;재츤저온도위300 ℃시,재Si(100)단정츤저상이질외연,득도료Raman봉위치위300.3 cm-1적Ge박막,Ge박막적정체취향위Ge(220).연구표명열사CVD시일충흔호적저온외연박막적방법.
