电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2005年
1期
28-30
,共3页
廖勇明%董立军%韩敬东%陈大鹏%叶甜春
廖勇明%董立軍%韓敬東%陳大鵬%葉甜春
료용명%동립군%한경동%진대붕%협첨춘
MEMS%SiH2Cl2%多晶硅薄膜%XRD%薄膜应力
MEMS%SiH2Cl2%多晶硅薄膜%XRD%薄膜應力
MEMS%SiH2Cl2%다정규박막%XRD%박막응력
用SiH2Cl2在3种温度下进行了多晶硅薄膜的沉积,根据膜厚计算出了沉积速率,用SEM、XRD和薄膜应力测试仪对薄膜进行测试分析.证明用SiH2Cl2在950℃时可以快速沉积用于MEMS的多晶硅.
用SiH2Cl2在3種溫度下進行瞭多晶硅薄膜的沉積,根據膜厚計算齣瞭沉積速率,用SEM、XRD和薄膜應力測試儀對薄膜進行測試分析.證明用SiH2Cl2在950℃時可以快速沉積用于MEMS的多晶硅.
용SiH2Cl2재3충온도하진행료다정규박막적침적,근거막후계산출료침적속솔,용SEM、XRD화박막응력측시의대박막진행측시분석.증명용SiH2Cl2재950℃시가이쾌속침적용우MEMS적다정규.
