红外
紅外
홍외
INFRARED
2005年
8期
17-20
,共4页
李华%程兴奎%周均铭%黄绮
李華%程興奎%週均銘%黃綺
리화%정흥규%주균명%황기
GaAs/AlGaAs%超晶格%光致发光
GaAs/AlGaAs%超晶格%光緻髮光
GaAs/AlGaAs%초정격%광치발광
在室温下测量了GaAs/Al0.28Ga0.72As超晶格的光致发光,发现在波长λ=764nm处存在一较强的发光峰.理论分析表明,此峰是量子阱阱口附近能级上的电子与受主杂质上的空穴复合发光.实验还观测到在λ=824nm和829nm处分别存在一发光峰.分析表明,λ=829nm和λ=824nm处的发光峰分别为激子发光和量子阱中基态电子与基态重空穴的复合发光;理论计算值与实验结果符合得很好.
在室溫下測量瞭GaAs/Al0.28Ga0.72As超晶格的光緻髮光,髮現在波長λ=764nm處存在一較彊的髮光峰.理論分析錶明,此峰是量子阱阱口附近能級上的電子與受主雜質上的空穴複閤髮光.實驗還觀測到在λ=824nm和829nm處分彆存在一髮光峰.分析錶明,λ=829nm和λ=824nm處的髮光峰分彆為激子髮光和量子阱中基態電子與基態重空穴的複閤髮光;理論計算值與實驗結果符閤得很好.
재실온하측량료GaAs/Al0.28Ga0.72As초정격적광치발광,발현재파장λ=764nm처존재일교강적발광봉.이론분석표명,차봉시양자정정구부근능급상적전자여수주잡질상적공혈복합발광.실험환관측도재λ=824nm화829nm처분별존재일발광봉.분석표명,λ=829nm화λ=824nm처적발광봉분별위격자발광화양자정중기태전자여기태중공혈적복합발광;이론계산치여실험결과부합득흔호.
