原子核物理评论
原子覈物理評論
원자핵물리평론
Nuclear Physics Review
2006年
2期
189-193
,共5页
赵志明%王志光%宋银%金运范%孙友梅
趙誌明%王誌光%宋銀%金運範%孫友梅
조지명%왕지광%송은%금운범%손우매
离子注入%高能离子辐照%a:SiO2%新结构
離子註入%高能離子輻照%a:SiO2%新結構
리자주입%고능리자복조%a:SiO2%신결구
先用120 keV的碳离子注入非晶二氧化硅a:SiO2薄膜, 再用能量为1 754 MeV 的 Xe离子辐照.注碳量为5.0×1016-8.6×1017 ion/cm2, Xe离子辐照剂量为1.0×1011和5.0×1011 ion/cm2. 辐照后的样品中形成的新结构用显微傅立叶变换红外光谱仪进行测试分析.结果表明, Xe 离子辐照引起了注碳a:SiO2中Si-C, C-C, Si-O-C键以及CO和CO2分子的形成与演化.在注碳量较高时, Xe离子辐照在样品中产生了大量的Si-C键.与注入未辐照和辐照的低注碳量样品比较, 增强的Si-C键的形成, 预示着辐照可引起注碳a:SiO2样品中的SiC结构相变.
先用120 keV的碳離子註入非晶二氧化硅a:SiO2薄膜, 再用能量為1 754 MeV 的 Xe離子輻照.註碳量為5.0×1016-8.6×1017 ion/cm2, Xe離子輻照劑量為1.0×1011和5.0×1011 ion/cm2. 輻照後的樣品中形成的新結構用顯微傅立葉變換紅外光譜儀進行測試分析.結果錶明, Xe 離子輻照引起瞭註碳a:SiO2中Si-C, C-C, Si-O-C鍵以及CO和CO2分子的形成與縯化.在註碳量較高時, Xe離子輻照在樣品中產生瞭大量的Si-C鍵.與註入未輻照和輻照的低註碳量樣品比較, 增彊的Si-C鍵的形成, 預示著輻照可引起註碳a:SiO2樣品中的SiC結構相變.
선용120 keV적탄리자주입비정이양화규a:SiO2박막, 재용능량위1 754 MeV 적 Xe리자복조.주탄량위5.0×1016-8.6×1017 ion/cm2, Xe리자복조제량위1.0×1011화5.0×1011 ion/cm2. 복조후적양품중형성적신결구용현미부립협변환홍외광보의진행측시분석.결과표명, Xe 리자복조인기료주탄a:SiO2중Si-C, C-C, Si-O-C건이급CO화CO2분자적형성여연화.재주탄량교고시, Xe리자복조재양품중산생료대량적Si-C건.여주입미복조화복조적저주탄량양품비교, 증강적Si-C건적형성, 예시착복조가인기주탄a:SiO2양품중적SiC결구상변.
