红外
紅外
홍외
INFRARED
2007年
2期
7-11
,共5页
器件模拟%数值方法%MOSFET%FinFET%短沟道效应
器件模擬%數值方法%MOSFET%FinFET%短溝道效應
기건모의%수치방법%MOSFET%FinFET%단구도효응
在半导体器件的研制过程中,用计算机数值模拟取代测量方法来优化设计器件的性能参数,则器件的调试周期将显著缩短,费用将大幅度降低.本文简述了新型纳米尺寸MOSFET器件模拟的主要物理模型和数值方法,阐述MOSFET相关器件模拟的国内外研究动态,判断其发展趋势和研究方向.
在半導體器件的研製過程中,用計算機數值模擬取代測量方法來優化設計器件的性能參數,則器件的調試週期將顯著縮短,費用將大幅度降低.本文簡述瞭新型納米呎吋MOSFET器件模擬的主要物理模型和數值方法,闡述MOSFET相關器件模擬的國內外研究動態,判斷其髮展趨勢和研究方嚮.
재반도체기건적연제과정중,용계산궤수치모의취대측량방법래우화설계기건적성능삼수,칙기건적조시주기장현저축단,비용장대폭도강저.본문간술료신형납미척촌MOSFET기건모의적주요물리모형화수치방법,천술MOSFET상관기건모의적국내외연구동태,판단기발전추세화연구방향.
