半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
5期
369-373
,共5页
谢辉%刘新福%贾科进%闫德立%田建来
謝輝%劉新福%賈科進%閆德立%田建來
사휘%류신복%가과진%염덕립%전건래
四探针法%电阻抗成像%微区薄层电阻
四探針法%電阻抗成像%微區薄層電阻
사탐침법%전조항성상%미구박층전조
论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法--电阻抗成像技术(EIT).给出了四探针的基本原理,指出EIT的基本思想来源于四探针技术.对EIT的基本原理和重建算法在理论上进行了描述,提出可将其应用于微区薄层电阻测试,并对EIT在大型硅片微区薄层电阻率均匀性测试技术上的系统应用做了进一步探索.
論述瞭一種測試大型硅片電阻率均勻性的新方法--電阻抗成像技術(EIT).給齣瞭四探針的基本原理,指齣EIT的基本思想來源于四探針技術.對EIT的基本原理和重建算法在理論上進行瞭描述,提齣可將其應用于微區薄層電阻測試,併對EIT在大型硅片微區薄層電阻率均勻性測試技術上的繫統應用做瞭進一步探索.
논술료일충측시대형규편전조솔균균성적신방법--전조항성상기술(EIT).급출료사탐침적기본원리,지출EIT적기본사상래원우사탐침기술.대EIT적기본원리화중건산법재이론상진행료묘술,제출가장기응용우미구박층전조측시,병대EIT재대형규편미구박층전조솔균균성측시기술상적계통응용주료진일보탐색.
