微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
6期
399-402
,共4页
郑英彬%施志贵%席仕伟%赵龙%李红%赵兴海
鄭英彬%施誌貴%席仕偉%趙龍%李紅%趙興海
정영빈%시지귀%석사위%조룡%리홍%조흥해
微电子机械系统(MEMS)%滤波器%太赫兹(THz)%干法刻蚀%键合
微電子機械繫統(MEMS)%濾波器%太赫玆(THz)%榦法刻蝕%鍵閤
미전자궤계계통(MEMS)%려파기%태혁자(THz)%간법각식%건합
基于MEMS技术制作了太赫兹(THz)滤波器样品,研究了制作滤波器的工艺流程方案,其关键工艺技术包括硅深槽刻蚀技术、深槽结构的表面金属化技术、阳极键合和金-硅共晶键合技术.采用4 μm的热氧化硅层作刻蚀掩膜,成功完成了800 μm的深槽硅干法刻蚀;采用基片倾斜放置、多次离子束溅射和电镀加厚的方法完成了深槽结构的表面金属化,内部金属层厚度为3～5 μm;用硅-玻璃阳极键合技术和金-硅共晶键合技术实现了三层结构、四面封闭的波导滤波器样品加工.测试结果表明,研制的滤波器样品中心频率138 GHz,带宽15 GHz,插损小于3 dB.
基于MEMS技術製作瞭太赫玆(THz)濾波器樣品,研究瞭製作濾波器的工藝流程方案,其關鍵工藝技術包括硅深槽刻蝕技術、深槽結構的錶麵金屬化技術、暘極鍵閤和金-硅共晶鍵閤技術.採用4 μm的熱氧化硅層作刻蝕掩膜,成功完成瞭800 μm的深槽硅榦法刻蝕;採用基片傾斜放置、多次離子束濺射和電鍍加厚的方法完成瞭深槽結構的錶麵金屬化,內部金屬層厚度為3～5 μm;用硅-玻璃暘極鍵閤技術和金-硅共晶鍵閤技術實現瞭三層結構、四麵封閉的波導濾波器樣品加工.測試結果錶明,研製的濾波器樣品中心頻率138 GHz,帶寬15 GHz,插損小于3 dB.
기우MEMS기술제작료태혁자(THz)려파기양품,연구료제작려파기적공예류정방안,기관건공예기술포괄규심조각식기술、심조결구적표면금속화기술、양겁건합화금-규공정건합기술.채용4 μm적열양화규층작각식엄막,성공완성료800 μm적심조규간법각식;채용기편경사방치、다차리자속천사화전도가후적방법완성료심조결구적표면금속화,내부금속층후도위3～5 μm;용규-파리양겁건합기술화금-규공정건합기술실현료삼층결구、사면봉폐적파도려파기양품가공.측시결과표명,연제적려파기양품중심빈솔138 GHz,대관15 GHz,삽손소우3 dB.
