纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2004年
4期
243-246
,共4页
姚素薇%韩玉鑫%赵培忠%张卫国
姚素薇%韓玉鑫%趙培忠%張衛國
요소미%한옥흠%조배충%장위국
直流电沉积%CdS纳米线%AAO模板
直流電沉積%CdS納米線%AAO模闆
직류전침적%CdS납미선%AAO모판
在磷酸溶液中,采用二次铝阳极氧化法得到了多孔铝阳极氧化膜(AAO).以AAO为模板,选用直流电沉积方法在孔内组装CdS半导体纳米线,溶去模板后,获得粗细均一、直径约为100nm、长度约为1.5 μm的纳米线,与AAO模板的孔径一致.该方法在制备过程中,无需对AAO模板进行去除阻挡层、喷金或预镀金属等处理过程,而是直接在纳米孔内电沉积CdS,形成CdS半导体纳米线阵列.该方法工艺简单,操作方便,容易获得半导体CdS的一维纳米材料.TEM和XRD测试结果表明,CdS纳米线为六方晶型结构.对CdS纳米线的生长机理还进行了初步的分析和探讨.
在燐痠溶液中,採用二次鋁暘極氧化法得到瞭多孔鋁暘極氧化膜(AAO).以AAO為模闆,選用直流電沉積方法在孔內組裝CdS半導體納米線,溶去模闆後,穫得粗細均一、直徑約為100nm、長度約為1.5 μm的納米線,與AAO模闆的孔徑一緻.該方法在製備過程中,無需對AAO模闆進行去除阻擋層、噴金或預鍍金屬等處理過程,而是直接在納米孔內電沉積CdS,形成CdS半導體納米線陣列.該方法工藝簡單,操作方便,容易穫得半導體CdS的一維納米材料.TEM和XRD測試結果錶明,CdS納米線為六方晶型結構.對CdS納米線的生長機理還進行瞭初步的分析和探討.
재린산용액중,채용이차려양겁양화법득도료다공려양겁양화막(AAO).이AAO위모판,선용직류전침적방법재공내조장CdS반도체납미선,용거모판후,획득조세균일、직경약위100nm、장도약위1.5 μm적납미선,여AAO모판적공경일치.해방법재제비과정중,무수대AAO모판진행거제조당층、분금혹예도금속등처리과정,이시직접재납미공내전침적CdS,형성CdS반도체납미선진렬.해방법공예간단,조작방편,용역획득반도체CdS적일유납미재료.TEM화XRD측시결과표명,CdS납미선위륙방정형결구.대CdS납미선적생장궤리환진행료초보적분석화탐토.
