量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2006年
2期
222-224
,共3页
邢艳辉%李建军%邓军%韩军%盖红星%沈光地
邢豔輝%李建軍%鄧軍%韓軍%蓋紅星%瀋光地
형염휘%리건군%산군%한군%개홍성%침광지
光电子学%GaAs掺杂%光荧光谱%X射线衍射
光電子學%GaAs摻雜%光熒光譜%X射線衍射
광전자학%GaAs참잡%광형광보%X사선연사
对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性.通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小.
對利用EMCORE D125 MOCVD繫統生長的以CCl4為摻雜源,分析不同C摻雜濃度的GaAs外延層光學特性.通過PL、DC XRD測試手段研究瞭摻C GaAs層,隨C摻雜濃度增加,禁帶寬度收縮,PL譜峰值半寬增大,晶格常數減小.
대이용EMCORE D125 MOCVD계통생장적이CCl4위참잡원,분석불동C참잡농도적GaAs외연층광학특성.통과PL、DC XRD측시수단연구료참C GaAs층,수C참잡농도증가,금대관도수축,PL보봉치반관증대,정격상수감소.
