电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
3期
824-826
,共3页
压控振荡器%复制偏置电路%相位噪声%高稳定性
壓控振盪器%複製偏置電路%相位譟聲%高穩定性
압공진탕기%복제편치전로%상위조성%고은정성
设计和分析了一种高稳定性,宽频带范围,低噪声的差分环型压控振荡器.该电路具有较低的压控增益,较好的线性范围,较低的相位噪声.应用复制偏置电路,对差分环型压控振荡器的控制电压进行复制,以提高对环型压控振荡器电源电压噪声和衬底噪声的抑制.采用0.6 tanCMOS工艺进行模拟仿真,当控制电压从1 V到3.2 V变化时,相应的振荡频率为130 MHz到740 MHz;在偏离中心频率100 kHz,1 MHz频率处的相位噪声为-89 dBc,-110 dBc.
設計和分析瞭一種高穩定性,寬頻帶範圍,低譟聲的差分環型壓控振盪器.該電路具有較低的壓控增益,較好的線性範圍,較低的相位譟聲.應用複製偏置電路,對差分環型壓控振盪器的控製電壓進行複製,以提高對環型壓控振盪器電源電壓譟聲和襯底譟聲的抑製.採用0.6 tanCMOS工藝進行模擬倣真,噹控製電壓從1 V到3.2 V變化時,相應的振盪頻率為130 MHz到740 MHz;在偏離中心頻率100 kHz,1 MHz頻率處的相位譟聲為-89 dBc,-110 dBc.
설계화분석료일충고은정성,관빈대범위,저조성적차분배형압공진탕기.해전로구유교저적압공증익,교호적선성범위,교저적상위조성.응용복제편치전로,대차분배형압공진탕기적공제전압진행복제,이제고대배형압공진탕기전원전압조성화츤저조성적억제.채용0.6 tanCMOS공예진행모의방진,당공제전압종1 V도3.2 V변화시,상응적진탕빈솔위130 MHz도740 MHz;재편리중심빈솔100 kHz,1 MHz빈솔처적상위조성위-89 dBc,-110 dBc.
