半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
3期
232-235
,共4页
碳化硅%基态施主能级分裂%杂质电离%掺杂浓度
碳化硅%基態施主能級分裂%雜質電離%摻雜濃度
탄화규%기태시주능급분렬%잡질전리%참잡농도
对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响,与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究.发现只有在高温且掺杂浓度低的情况下,能级分裂的影响很小可忽略不计,其他条件下均需考虑能级分裂因素.随掺杂浓度的增加,能级分裂的影响增强;随温度的升高,能级分裂影响的整体趋势下降,但存在峰值.当杂质能级深度发生变化时,能级分裂的影响显得比较复杂;曲线上的峰值随着能级深度的增加而向高温方向移动,能级越浅峰就越小;并且在高于某一温度时,随能级的加深能级分裂的影响逐渐增强.
對SiC中基態施主能級分裂對雜質電離的影響,與溫度、摻雜濃度和雜質能級深度的關繫進行瞭繫統研究.髮現隻有在高溫且摻雜濃度低的情況下,能級分裂的影響很小可忽略不計,其他條件下均需攷慮能級分裂因素.隨摻雜濃度的增加,能級分裂的影響增彊;隨溫度的升高,能級分裂影響的整體趨勢下降,但存在峰值.噹雜質能級深度髮生變化時,能級分裂的影響顯得比較複雜;麯線上的峰值隨著能級深度的增加而嚮高溫方嚮移動,能級越淺峰就越小;併且在高于某一溫度時,隨能級的加深能級分裂的影響逐漸增彊.
대SiC중기태시주능급분렬대잡질전리적영향,여온도、참잡농도화잡질능급심도적관계진행료계통연구.발현지유재고온차참잡농도저적정황하,능급분렬적영향흔소가홀략불계,기타조건하균수고필능급분렬인소.수참잡농도적증가,능급분렬적영향증강;수온도적승고,능급분렬영향적정체추세하강,단존재봉치.당잡질능급심도발생변화시,능급분렬적영향현득비교복잡;곡선상적봉치수착능급심도적증가이향고온방향이동,능급월천봉취월소;병차재고우모일온도시,수능급적가심능급분렬적영향축점증강.
