微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2004年
3期
306-309
,共4页
王照钢%陈诚%任俊彦%许俊
王照鋼%陳誠%任俊彥%許俊
왕조강%진성%임준언%허준
运算放大器%采样/保持电路%自举
運算放大器%採樣/保持電路%自舉
운산방대기%채양/보지전로%자거
介绍了一个低电压高精度的高速采样/保持电路.该电路的电源电压为1.8 V,在125MHz频率时钟采样时,可达到10位以上的精度;采用栅源电压恒定的栅压自举开关,极大地减小了采样的非线性失真,同时,有效地抑制了输入信号的直流偏移;高性能增益自举的折叠式级联运算放大器减小了有限增益和不完全建立带来的误差.整个电路以0.18 μm CMOS工艺库验证,功耗仅为11.2 mW.
介紹瞭一箇低電壓高精度的高速採樣/保持電路.該電路的電源電壓為1.8 V,在125MHz頻率時鐘採樣時,可達到10位以上的精度;採用柵源電壓恆定的柵壓自舉開關,極大地減小瞭採樣的非線性失真,同時,有效地抑製瞭輸入信號的直流偏移;高性能增益自舉的摺疊式級聯運算放大器減小瞭有限增益和不完全建立帶來的誤差.整箇電路以0.18 μm CMOS工藝庫驗證,功耗僅為11.2 mW.
개소료일개저전압고정도적고속채양/보지전로.해전로적전원전압위1.8 V,재125MHz빈솔시종채양시,가체도10위이상적정도;채용책원전압항정적책압자거개관,겁대지감소료채양적비선성실진,동시,유효지억제료수입신호적직류편이;고성능증익자거적절첩식급련운산방대기감소료유한증익화불완전건립대래적오차.정개전로이0.18 μm CMOS공예고험증,공모부위11.2 mW.
