电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2005年
2期
239-241,244
,共4页
碳纳米管阴极%涂敷%粘结剂%场发射
碳納米管陰極%塗敷%粘結劑%場髮射
탄납미관음겁%도부%점결제%장발사
研究了用涂敷法制备碳纳米管阴极的新工艺和改善其场发射特性的新方法,裂解法获得的碳纳米管与有机粘合剂等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,二极管结构测量的结果表明,碳纳米管阴极有较低的开启电场(1.25～ 1.5V/μm),场强为5V/μm时,电流密度达到了42μA/cm2,F-N曲线也非常符合场发射规律.浆料中粘合剂的比例增大时,碳纳米管阴极的场发射性能会有所降低,施加外电场会改善其场发射特性.
研究瞭用塗敷法製備碳納米管陰極的新工藝和改善其場髮射特性的新方法,裂解法穫得的碳納米管與有機粘閤劑等混閤、研磨,直接塗敷在Si基底上,二極管結構測量的結果錶明,碳納米管陰極有較低的開啟電場(1.25～ 1.5V/μm),場彊為5V/μm時,電流密度達到瞭42μA/cm2,F-N麯線也非常符閤場髮射規律.漿料中粘閤劑的比例增大時,碳納米管陰極的場髮射性能會有所降低,施加外電場會改善其場髮射特性.
연구료용도부법제비탄납미관음겁적신공예화개선기장발사특성적신방법,렬해법획득적탄납미관여유궤점합제등혼합、연마,직접도부재Si기저상,이겁관결구측량적결과표명,탄납미관음겁유교저적개계전장(1.25～ 1.5V/μm),장강위5V/μm시,전류밀도체도료42μA/cm2,F-N곡선야비상부합장발사규률.장료중점합제적비례증대시,탄납미관음겁적장발사성능회유소강저,시가외전장회개선기장발사특성.
