半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
7期
489-492
,共4页
韩宝东%胡冬青%谢书珊%贾云鹏%亢宝位
韓寶東%鬍鼕青%謝書珊%賈雲鵬%亢寶位
한보동%호동청%사서산%가운붕%항보위
局域铂掺杂%铂汲取%辐照剂量%快恢复二极管
跼域鉑摻雜%鉑伋取%輻照劑量%快恢複二極管
국역박참잡%박급취%복조제량%쾌회복이겁관
利用质子辐照感生的局域高浓度空位缺陷对样品表面层预生成的铂硅合金中的铂原子进行汲取,形成与感生缺陷分布相似的局域铂分布,首次实现了具有局域铂掺杂的快恢复二极管中的局域寿命控制技术.报告了改变质子注入剂量对二极管反向恢复时间和反向漏电流等参数的影响.结果表明,当辐照剂量较低时,随着辐照剂量的增加,电活性铂浓度不断提高,器件性能不断优化.而辐照剂量增加到一定程度,有效区电活性铂杂质的浓度会趋向饱和,二极管反向恢复时间基本上不再继续减小.
利用質子輻照感生的跼域高濃度空位缺陷對樣品錶麵層預生成的鉑硅閤金中的鉑原子進行伋取,形成與感生缺陷分佈相似的跼域鉑分佈,首次實現瞭具有跼域鉑摻雜的快恢複二極管中的跼域壽命控製技術.報告瞭改變質子註入劑量對二極管反嚮恢複時間和反嚮漏電流等參數的影響.結果錶明,噹輻照劑量較低時,隨著輻照劑量的增加,電活性鉑濃度不斷提高,器件性能不斷優化.而輻照劑量增加到一定程度,有效區電活性鉑雜質的濃度會趨嚮飽和,二極管反嚮恢複時間基本上不再繼續減小.
이용질자복조감생적국역고농도공위결함대양품표면층예생성적박규합금중적박원자진행급취,형성여감생결함분포상사적국역박분포,수차실현료구유국역박참잡적쾌회복이겁관중적국역수명공제기술.보고료개변질자주입제량대이겁관반향회복시간화반향루전류등삼수적영향.결과표명,당복조제량교저시,수착복조제량적증가,전활성박농도불단제고,기건성능불단우화.이복조제량증가도일정정도,유효구전활성박잡질적농도회추향포화,이겁관반향회복시간기본상불재계속감소.
