半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
223-226
,共4页
韩德俊%孙彩明%盛丽艳%张秀荣%张海君%闫凤章%杨茹%张录%宁宝俊
韓德俊%孫綵明%盛麗豔%張秀榮%張海君%閆鳳章%楊茹%張錄%寧寶俊
한덕준%손채명%성려염%장수영%장해군%염봉장%양여%장록%저보준
光晶体管%区熔硅%灵敏度%线性度
光晶體管%區鎔硅%靈敏度%線性度
광정체관%구용규%령민도%선성도
报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15～1500 nW光功率(4个数量级)范围内,线性因子为0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光电二极管在同一光功率区间内的线性因子(0.9982).另外,这种光晶体管的增益在130左右且增益的起伏在1%以内时,偏压的变化允许在2.5%以内(40V±1V),温度的变化可允许±2℃.其增益对偏压及温度的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管.
報道瞭一種基于高純區鎔單晶硅和髮射結-集電結接近穿通狀態的光晶體管的實驗結果.在穿通電壓附近(40V),0.83μm波長的光入射及0.15nW入射光功率條件下,器件的響應度為38A/W;工作在髮射結-集電結接近穿通狀態時線性度最好,在0.15～1500 nW光功率(4箇數量級)範圍內,線性因子為0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光電二極管在同一光功率區間內的線性因子(0.9982).另外,這種光晶體管的增益在130左右且增益的起伏在1%以內時,偏壓的變化允許在2.5%以內(40V±1V),溫度的變化可允許±2℃.其增益對偏壓及溫度的穩定性優于線性模式下具有相近增益的雪崩光電二極管.
보도료일충기우고순구용단정규화발사결-집전결접근천통상태적광정체관적실험결과.재천통전압부근(40V),0.83μm파장적광입사급0.15nW입사광공솔조건하,기건적향응도위38A/W;공작재발사결-집전결접근천통상태시선성도최호,재0.15～1500 nW광공솔(4개수량급)범위내,선성인자위0.9954,접근우Hamamatsu S1227-1010BQ광전이겁관재동일광공솔구간내적선성인자(0.9982).령외,저충광정체관적증익재130좌우차증익적기복재1%이내시,편압적변화윤허재2.5%이내(40V±1V),온도적변화가윤허±2℃.기증익대편압급온도적은정성우우선성모식하구유상근증익적설붕광전이겁관.
