CAJ | 학술논문

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.
제작료반향포화전류위5.5×10-14 A/cm2,세루고도위1.18eV적GaN초특기세루자외탐측기.측량료탐측기분별재령편압급반향편압하적광보향응도,향응도수반향편압무현저변화,령편압하봉치향응도재파장358.2nm처체도료0.214A/W.이용파장359nm광속횡향소묘탐측기적광민면,측량료탐측기재불동편압하적공간향응균균성,상응편압하적광향응재광민면중앙범위내향응폭치변화불초과0.6%.광자능량재금대변연부근적광속조사하,GaN초특기세루자외탐측기존재세루고도현저강저현상,저충현상재초특기투명전겁변연급기압한전겁부근표현득경위돌출.탐측기재368화810nm파장광일기조사시적개로전압비지유368nm광조사시적개로전압대,이령편압하량자적광전류근사상등.이용저충개로전압변화효응고산료탐측기재368nm광조사하,표면피부획공혈적면밀도변화량약위8.4×1010 cm-2.